委員会活動
過去の研究会
- 第177回 シリコンの最近の研究：結晶成長、ゲッタリング、評価
- 第176回 SiCパワー半導体の結晶成長と評価、デバイス応用の最前線
- 第175回 Si系先端デバイスを支える加工・評価技術
- 第174回 未来を切り開くイメージセンサの最前線
- 第173回 ワイドギャップ半導体Ga2O3結晶成長と評価、デバイス応用の最前線
- 第172回 先端GaN系発光デバイスの開発最前線―材料・プロセス技術
- 第171回 Si-IGBTをけん引する材料・プロセス技術
- 第170回 高精度結晶加工のための加工および計測技術
- 第169回 ワイドバンドギャップ半導体のp型制御
- 第168回 マテリアルズ・計測インフォマティクスの最前線
- 第167回 Siフォトニクスにおける材料・プロセス・デバイス技術の最前線
- 第166回 結晶薄化のための加工技術・評価技術
- 第165回 社会実装に向けて動き出したSiCパワー半導体：現状と実用化への課題
- 第164回 放射線を用いた先端計測技術：-見えない光でものを見る、検出器開発から応用研究まで-
- 第163回 窒化物半導体における欠陥低減技術の進展と評価技術の最前線
- 第162回 半導体の微量・微小分析
- 第161回 Si ULSIロジック、SOCの材料・デバイス・プロセスの最前線
- 第160回 ワイドギャップ半導体β-Ga2O3結晶育成と評価、デバイス応用の最前線
- 第159回 Siの結晶成長、Grown-in欠陥と欠陥評価
- 第158回 ダイヤモンド結晶の加工および機能化技術
- 第157回 次世代パワーデバイス開発における要素技術の進展
- 第156回 先端計測と太陽電池研究
- 第155回 IoTによる結晶・薄膜と加工技術の可能性
- 第154回 X線を用いた先端材料評価技術
- 第153回 最先端ゲッタリング技術の研究開発動向
- 第152回 SiCパワーデバイス：社会実装へ向けた現状と課題
- 第151回 結晶スライシング技術の現状と新技術
- 第150回 バルクライフタイム測定を中心とする欠陥・評価関係
- 第149回 高効率結晶シリコン太陽電池へのアプローチ
- 第148回 化合物半導体中の点欠陥の性質と挙動、および信頼性への影響
- 第147回 パワーデバイス用エピタキシャル成長装置の現状
- 第146回 結晶加工における材料変形と変質
- 第145回 シリコンフォーラム, パワデバSi研究会他の注目発表
- 第144回 X線・電子線による計測技術の新展開
- 第143回 複合欠陥の物理と評価
- 第142回 結晶シリコン太陽電池研究開発の最前線
- 第141回 3次元集積回路のための加工技術最前線
- 第140回 パワーデバイス用Si、SiC単結晶成長の最前線
- 第139回 技術の伝承／Si結晶成長と欠陥制御
- 第138回 技術の伝承を踏まえた“ものづくりの起源とシリコンウエハの加工プロセス
- 第137回 AlGaN系材料の結晶工学と発光デバイス
- 第136回 太陽電池 －高性能化に向けた最近の研究動向－
- 第135回 X線を用いた先端材料評価技術
- 第134回 パワーデバイス用結晶の欠陥とその影響
- 第133回 イオン注入技術とその欠陥制御
- 第132回 次世代型難加工材料基板とその加工プロセスの現状と課題
- 第131回 超高耐圧パワーデバイスの現状と将来展望
- 第130回 シリコン結晶の点欠陥と不純物：注目される新たな評価解析技術
- 第129回 窒化物バルク結晶の成長と評価
- 第128回 太陽電池 - イノベーションに向けた基盤研究 -
- 第127回 加工技術（研磨・洗浄・CMP技術）の現状と将来
- 第126回 SiC／ポリタイプの理解と制御に向けて
- 第125回 加工メカニズムの評価解析技術
- 第124回 モビリティ・ブースター・テクノロジー
- 第123回 日本学術振興会学術創成研究「シリコンCMOSフォトニクス」成果発表会
- 第122回 SiCプロセス技術の進展
- 第121回 光・電子デバイスの性能・信頼性向上を支える結晶工学
- 第120回 単結晶Siから多結晶Siへ -PV多結晶に役立つ単結晶技術-
- 第119回 加工技術（研磨・洗浄・CMP技術）およびその評価技術の現状と将来
- 第118回 太陽電池の現状と将来展望
- 第117回 先端LSI用シリコン
- 第116回 パワーデバイス用のSiと SiC
- 第115回 半導体材料の機械加工の現状と将来
- 第114回 新規MOSFETにおける歪みと結晶の制御
- 第113回 太陽電池と評価技術の最近の動向
- 第112回 シリコンフォトニクスと結晶工学・産業界との接点
- 第111回 シリコン結晶中の点欠陥と不純物
- 第110回 窒化物系および酸化物系半導体
- 第109回 次世代半導体結晶の加工と応用 －最近の研究動向を探る－
- 第108回 太陽電池用SiとLSI用Siの結晶成長と結晶評価
- 第107回 フォトニクス用シリコン結晶の加工と評価
- 第106回 SiC半導体結晶の成長と評価の最前線
- 第105回 歪シリコン技術
- 第104回 太陽電池用結晶の成長と評価
- 第103回 シリコン基板結晶の評価技術
- 第102回 GaN系およびZnO系半導体の結晶工学とデバイス
- 第101回 材料の構造・欠陥評価技術の進歩と今後の展開
- 第100回 QTAT半導体生産技術シンポジウム
- 第99回 ワイドギャップ系半導体の結晶工学とデバイス
- 第98回 ウェーハ平坦性、ナノトポグラフィー、CMP
- 第97回 進展するSOI技術：現状と将来
- 第96回 シリコンの微小欠陥の評価法の標準化に向けて
- 第95回 シリコンの新しい加工と欠陥の評価
- 第94回 半導体結晶材料技術の新展開
- 第93回 SOIウエーハ技術の現状とSOIデバイスの動向
- 第92回 デバイスの視点から見た化合物半導体結晶の育成と加工技術